Vytisknout stránku
NTHD3102CT1G
Duální MOSFET, Komplementární N a P Kanál, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.045 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceNTHD3102CT1G
Objednací kód2535543RL
Technický list
Typ KanáluKomplementární N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál20V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál20V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál4A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál4A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.045ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.045ohm
Druh Pouzdra TranzistoruChipFET
Počet Pinů8Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál1.1W
Výkonové Ztráty P Kanál1.1W
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
Alternativy pro NTHD3102CT1G
Nalezené produkty: 2
Technické specifikace
Typ Kanálu
Komplementární N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
20V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
4A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.045ohm
Počet Pinů
8Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
1.1W
Produktová Řada
-
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
20V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
4A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.045ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
ChipFET
Výkonové Ztráty N Kanál
1.1W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
Technické dokumenty (3)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Bude posouzeno
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000056