Vytisknout stránku
NTMFD4C20NT1G
Duální MOSFET, N Kanál, 30 V, 30 V, 18 A, 18 A, 0.0027 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceNTMFD4C20NT1G
Objednací kód2724459
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál30V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál30V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál18A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál18A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.0027ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.0027ohm
Druh Pouzdra TranzistoruDFN
Počet Pinů8Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál1.97W
Výkonové Ztráty P Kanál1.97W
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
Přehled produktu
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení doby naskladnění, dodací lhůty se mohou měnit
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
30V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
18A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.0027ohm
Počet Pinů
8Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
1.97W
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
30V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
18A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.0027ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
DFN
Výkonové Ztráty N Kanál
1.97W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
Lead (10-Jun-2022)
Technické dokumenty (3)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Y-Ex
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (10-Jun-2022)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000013
Sledovatelnost produktů