Vytisknout stránku
NVH4L032N065M3S
MOSFET s Karbidem Křemíku, Jeden, N Kanál, 50 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceNVH4L032N065M3S
Objednací kód4583077
Produktová ŘadaEliteSiC Series
Technický list
354 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 298.703 Kč |
| 5+ | 280.394 Kč |
| 10+ | 262.086 Kč |
| 50+ | 250.298 Kč |
| 100+ | 238.260 Kč |
| 250+ | 226.472 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
298.70 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceNVH4L032N065M3S
Objednací kód4583077
Produktová ŘadaEliteSiC Series
Technický list
Konfigurace MOSFET ModuluJeden
Typ KanáluN Kanál
Trvalý Proud Drainu Id50A
Napětí Drain Source Vds650V
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.044ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-247
Počet Pinů4Pinů
Rds(on) Testovací Napětí Vgs18V
Prahové Napětí Vgs4V
Rozptýlený Výkon187W
Provozní Teplota Max175°C
Produktová ŘadaEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Přehled produktu
NVH4L032N065M3S is an EliteSiC 650V M3S MOSFET that uses a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. Typical applications include automotive on board charger and automotive DC−DC converter for EV/HEV.
- Drain to source voltage is 650V, maximum drain current is 50A
- Typical RDS(ON) = 32mohm at VGS = 18V
- Ultra low gate charge QG(tot) = 69nC
- High speed switching with low capacitance (Coss = 114pF)
- 100% avalanche tested
- AEC−Q101 qualified and PPAP capable
- Operating junction temperature range from -55 to +175°C
Technické specifikace
Konfigurace MOSFET Modulu
Jeden
Trvalý Proud Drainu Id
50A
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.044ohm
Počet Pinů
4Pinů
Prahové Napětí Vgs
4V
Provozní Teplota Max
175°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds
650V
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-247
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
18V
Rozptýlený Výkon
187W
Produktová Řada
EliteSiC Series
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Bude posouzeno
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000001
Sledovatelnost produktů