Vytisknout stránku
NVHL040N120SC1
MOSFET s Karbidem Křemíku, EliteSiC, Jeden, N Kanál, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceNVHL040N120SC1
Objednací kód3464026
Produktová ŘadaEliteSiC Series
Technický list
495 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 366.670 Kč |
| 5+ | 366.419 Kč |
| 10+ | 366.168 Kč |
| 50+ | 364.663 Kč |
| 100+ | 357.390 Kč |
| 250+ | 350.618 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
366.67 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceNVHL040N120SC1
Objednací kód3464026
Produktová ŘadaEliteSiC Series
Technický list
Konfigurace MOSFET ModuluJeden
Typ KanáluN Kanál
Trvalý Proud Drainu Id60A
Napětí Drain Source Vds1.2kV
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.056ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-247
Počet Pinů3Pinů
Rds(on) Testovací Napětí Vgs20V
Prahové Napětí Vgs4.3V
Rozptýlený Výkon348W
Provozní Teplota Max175°C
Produktová ŘadaEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Přehled produktu
- Silicon carbide (SiC) MOSFET
- 100% UIL tested, AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Drain-to-source on resistance is 39mohm (typ, VGS = 20V, ID = 35A, TJ = 25°C
- Reverse transfer capacitance is 12pF (typ, VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 800V)
- Continuous drain current RJC is 60A (maximum, TC = 25°C, steady state)
- Gate to source leakage current is ±1µA (max, VGS = +25/-15V, VDS =0V)
- Power dissipation is 348W (VGS = +25/-15V, VDS =0V)
- Rise time is 41ns (typ, VGS = -5/20V, VDS = 800V, ID = 47A, RG = 4.7ohm, inductive load)
- Reverse recovery time is 24ns (typ, VGS = -5/20V, ISD = 47A, dIS/dt = 1000A/ s)
- Operating and storage junction temperature range from -55 to +175°C, TO247-3L package
Technické specifikace
Konfigurace MOSFET Modulu
Jeden
Trvalý Proud Drainu Id
60A
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.056ohm
Počet Pinů
3Pinů
Prahové Napětí Vgs
4.3V
Provozní Teplota Max
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds
1.2kV
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-247
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
20V
Rozptýlený Výkon
348W
Produktová Řada
EliteSiC Series
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Y-Ex
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.002
Sledovatelnost produktů