Vytisknout stránku
QRD1113
Reflektivní Fotopřerušovač, Fototranzistor, Skrz Desku, 1,27 mm, 50 mA, 5 Vr, 1,7 Vf
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
102 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 26.836 Kč |
| 10+ | 22.848 Kč |
| 25+ | 22.522 Kč |
| 50+ | 22.171 Kč |
| 100+ | 21.845 Kč |
| 500+ | 20.315 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
26.84 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceQRD1113
Objednací kód1467857
Technický list
Metoda SnímáníReflexní
Snímací Vzdálenost / Šířka Štěrbiny-
Napájecí Napětí Min-
Snímací Vzdálenost1.27mm
Napájecí Napětí Max-
Proud v Propustném Směru If50mA
Závěrné Napětí Vr5V
Tělo / Pouzdro SenzoruModule
Napětí Kolektor Emitor V(br)ceo30V
Napětí Konektor-Emitor Max30V
Napětí v Propustném Směru1.7V
Proud Kolektoru IC Max0.3mA
Druh Výstup SnímačeFototranzistor
IP Hodnocení-
Montáž SenzoruSkrz Desku
Provozní Teplota Min-40°C
Provozní Teplota Max85°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Přehled produktu
The QRD1113 is a 1.27mm Reflective Object Sensor with an infrared emitting diode and an NPN silicon phototransistor mounted side by side in a black plastic housing. The on-axis radiation of the emitter and the on-axis response of the detector are both perpendicular to the face. The phototransistor responds to radiation emitted from the diode only when a reflective object or surface is in the field of view of the detector.
- No-contact surface sensing
- Unfocused for sensing diffused surfaces
- Daylight filter on sensor
- -40 to 85°C Operating temperature range
Technické specifikace
Metoda Snímání
Reflexní
Napájecí Napětí Min
-
Napájecí Napětí Max
-
Závěrné Napětí Vr
5V
Napětí Kolektor Emitor V(br)ceo
30V
Napětí v Propustném Směru
1.7V
Druh Výstup Snímače
Fototranzistor
Montáž Senzoru
Skrz Desku
Provozní Teplota Max
85°C
Kvalifikace
-
Snímací Vzdálenost / Šířka Štěrbiny
-
Snímací Vzdálenost
1.27mm
Proud v Propustném Směru If
50mA
Tělo / Pouzdro Senzoru
Module
Napětí Konektor-Emitor Max
30V
Proud Kolektoru IC Max
0.3mA
IP Hodnocení
-
Provozní Teplota Min
-40°C
Produktová Řada
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000431
Sledovatelnost produktů