Vytisknout stránku
BSM180C12P3C202
MOSFET s Karbidem Křemíku, Chopper, N Kanál, 180 A, 1.2 kV, Module
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
12 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 10 887.228 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
10 887.23 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceROHM
Č. dílu výrobceBSM180C12P3C202
Objednací kód3573219
Technický list
Konfigurace MOSFET ModuluChopper
Typ KanáluN Kanál
Trvalý Proud Drainu Id180A
Napětí Drain Source Vds1.2kV
Odpor Drain-Source při Zapnutí-ohm
Druh Pouzdra TranzistoruModule
Počet Pinů-Pinů
Rds(on) Testovací Napětí Vgs-V
Prahové Napětí Vgs5.6V
Rozptýlený Výkon880W
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Přehled produktu
BSM180C12P3C202 is a SiC power module. This product is a chopper module consisting of SiC-UMOSFET and SiC-SBD from ROHM. Application includes motor drive, converter, photovoltaics, wind power generation.
- Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
- Reduced temperature dependence
- 1.8V typical static drain-source on-state voltage (Tj=25°C, IC=180A, VGS=18V)
- 10µA maximum drain cut-off current (VDS=1200V, VGS=0V, Tj=25°C)
- Gate-source threshold voltage range from 2.7V to 5.6V (VDS=10V, ID=50mA, Tj=25°C)
- 9nF typical input capacitance (VDS=10V, VGS=0V, 100KHz, Tj=25°C)
- 30ns typ switching characteristics (VGS(on)=18V, VGS(off)=0V, VDS=600V, RG=3.9ohm inductive load)
- 2500Vrms isolation voltage (terminals to baseplate, f=60Hz AC 1min)
- 1.4ohm typical gate resistance (Tj=25°C)
- Junction temperature range from -40°C to150°C
Technické specifikace
Konfigurace MOSFET Modulu
Chopper
Trvalý Proud Drainu Id
180A
Odpor Drain-Source při Zapnutí
-ohm
Počet Pinů
-Pinů
Prahové Napětí Vgs
5.6V
Provozní Teplota Max
150°C
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds
1.2kV
Druh Pouzdra Tranzistoru
Module
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
-V
Rozptýlený Výkon
880W
Produktová Řada
-
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Japan
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Japan
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.28