Vytisknout stránku
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
9 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
Množství | |
---|---|
1+ | 17 826.613 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
17 826.61 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceROHM
Č. dílu výrobceBSM400C12P3G202
Objednací kód3573227
Technický list
Konfigurace MOSFET ModuluChopper
Typ KanáluN Kanál
Trvalý Proud Drainu Id400A
Napětí Drain Source Vds1.2kV
Odpor Drain-Source při Zapnutí-ohm
Druh Pouzdra TranzistoruModule
Počet Pinů-Pinů
Rds(on) Testovací Napětí Vgs-V
Prahové Napětí Vgs5.6V
Rozptýlený Výkon1.57kW
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Přehled produktu
BSM400C12P3G202 is a SiC power module. This product is a chopper module consisting of SiC-UMOSFET and SiC-SBD from ROHM. Application includes motor drive, converter, photovoltaics, wind power generation.
- Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
- Reduced temperature dependence
- 1200V drain source voltage (Tj= 25°C), 1200V repetitive reverse voltage (Tj = 25°C)
- G - S voltage range from -4 to 26V (surge<lt/>300nsec, D-S short)
- Drain current is 358A (DC(Tc=60°C) VGS=18V, Tj= 25°C)
- Source current is 358A (DC(Tc=60°C) VGS=18V, Tj= 25°C)
- Forward current (clamp diode) is 400A (DC(Tc = 60°C)
- Total power dissipation is 150W (Tc = 25°C)
- Isolation voltage is 2500Vrms (terminals to baseplate f = 60Hz AC 1, min)
- Junction temperature range from -40 to 150°C
Technické specifikace
Konfigurace MOSFET Modulu
Chopper
Trvalý Proud Drainu Id
400A
Odpor Drain-Source při Zapnutí
-ohm
Počet Pinů
-Pinů
Prahové Napětí Vgs
5.6V
Provozní Teplota Max
150°C
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds
1.2kV
Druh Pouzdra Tranzistoru
Module
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
-V
Rozptýlený Výkon
1.57kW
Produktová Řada
-
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Japan
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Japan
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.28