Vytisknout stránku
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
230 615 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
Množství | |
---|---|
100+ | 8.527 Kč |
500+ | 6.019 Kč |
1000+ | 5.342 Kč |
5000+ | 4.690 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 100
Více: 1
972.70 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceROHM
Č. dílu výrobceQS6M3TR
Objednací kód1525473RL
Technický list
Typ KanáluKomplementární N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál20V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál20V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál1.5A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál1.5A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.17ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.17ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTSMT
Počet Pinů6Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál900mW
Výkonové Ztráty P Kanál1.25W
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Přehled produktu
The QS6M3TR is a N/P-channel MOSFET designed as low ON-resistance device by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. This device is suitable for use with coin processing machines, handy type digital multi-meter, PLC (programmable logic controller) AC servo, network attached storage and DVR/DVS applications.
- 2.5V Drive
- Fast switching speed
- Small surface-mount package
- Low ON-resistance
- Built-in G-S protection diode
Výstrahy
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické specifikace
Typ Kanálu
Komplementární N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
20V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
1.5A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.17ohm
Počet Pinů
6Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
1.25W
Produktová Řada
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
20V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
1.5A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.17ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
TSMT
Výkonové Ztráty N Kanál
900mW
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:South Korea
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:South Korea
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000014