Vytisknout stránku
SP8M51FRATB
Duální MOSFET, Komplementární N a P Kanál, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.12 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
Informace o produktu
VýrobceROHM
Č. dílu výrobceSP8M51FRATB
Objednací kód2886638
Technický list
Typ KanáluKomplementární N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál100V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál100V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál3A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál3A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.12ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.12ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOP
Počet Pinů8Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál2W
Výkonové Ztráty P Kanál2W
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
KvalifikaceAEC-Q101
Alternativy pro SP8M51FRATB
Nalezen 1 produkt
Technické specifikace
Typ Kanálu
Komplementární N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
100V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
3A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.12ohm
Počet Pinů
8Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
2W
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
100V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
3A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.12ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOP
Výkonové Ztráty N Kanál
2W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Thailand
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Thailand
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.00005