Vytisknout stránku
SKM200GB12T4
IGBT Modul, Half Bridge, 313 A, 1.8 V, 175 °C, Module
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
6 Skladem
12 Nyní si můžete rezervovat zásoby na skladě
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 5 092.996 Kč |
| 5+ | 4 800.312 Kč |
| 10+ | 4 489.069 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
5 093.00 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceSEMIKRON
Č. dílu výrobceSKM200GB12T4
Objednací kód2423694
Technický list
IGBT KonfiguraceHalf Bridge
Polarita TranzistoruDvojitý N Kanál
DC Kolektorový Proud313A
Trvalý Proud Kolektoru313A
Saturační Napětí Kolektor-Emitor1.8V
Saturační Napětí Kolektor Emitor Vce(on)1.8V
Výkonové Ztráty Pd-
Rozptýlený Výkon-
Provozní Teplota Max175°C
Napětí Kolektor Emitor V(br)ceo1.2kV
Teplota Přechodu Tj @ Max175°C
Druh Pouzdra TranzistoruModule
IGBT ZakončeníZávit
Počet Pinů7Pinů
Napětí Konektor-Emitor Max1.2kV
IGBT TechnologieIGBT 4 Rychlý [Trench]
Montáž TranzistoruPanel
Produktová Řada-
Přehled produktu
The SKM200GB12T4 is a SEMITRANS® 3 fast IGBT Module for use with AC inverter drives and UPS. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- IGBT4 = 4th generation medium fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- For higher switching frequencies up to 12kHz
- UL recognized, file number E63532
Technické specifikace
IGBT Konfigurace
Half Bridge
DC Kolektorový Proud
313A
Saturační Napětí Kolektor-Emitor
1.8V
Výkonové Ztráty Pd
-
Provozní Teplota Max
175°C
Teplota Přechodu Tj @ Max
175°C
IGBT Zakončení
Závit
Napětí Konektor-Emitor Max
1.2kV
Montáž Tranzistoru
Panel
Polarita Tranzistoru
Dvojitý N Kanál
Trvalý Proud Kolektoru
313A
Saturační Napětí Kolektor Emitor Vce(on)
1.8V
Rozptýlený Výkon
-
Napětí Kolektor Emitor V(br)ceo
1.2kV
Druh Pouzdra Tranzistoru
Module
Počet Pinů
7Pinů
IGBT Technologie
IGBT 4 Rychlý [Trench]
Produktová Řada
-
Technické dokumenty (2)
Alternativy pro SKM200GB12T4
Nalezené produkty: 3
Související produkty
Nalezené produkty: 4
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Slovak Republic
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Slovak Republic
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.18
Sledovatelnost produktů