Vytisknout stránku
SCT30N120
MOSFET s Karbidem Křemíku, Jeden, N Kanál, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, HiP247
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
834 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 527.432 Kč |
| 5+ | 522.918 Kč |
| 10+ | 518.153 Kč |
| 50+ | 368.425 Kč |
| 100+ | 358.142 Kč |
| 250+ | 354.380 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
527.43 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceSTMICROELECTRONICS
Č. dílu výrobceSCT30N120
Objednací kód2451116
Technický list
Konfigurace MOSFET ModuluJeden
Typ KanáluN Kanál
Trvalý Proud Drainu Id40A
Napětí Drain Source Vds1.2kV
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.08ohm
Druh Pouzdra TranzistoruHiP247
Počet Pinů3Pinů
Rds(on) Testovací Napětí Vgs20V
Prahové Napětí Vgs2.6V
Rozptýlený Výkon270W
Provozní Teplota Max200°C
Produktová Řada-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
The SCT30N120 is a N-channel silicon carbide Power MOSFET, unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance independent of temperature. Suitable for high efficiency and high power density applications.
- Very tight variation of on-resistance vs. temperature
- Slight variation of switching losses vs. temperature
- Very high operating temperature capability (200°C)
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Low capacitance
Výstrahy
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické specifikace
Konfigurace MOSFET Modulu
Jeden
Trvalý Proud Drainu Id
40A
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.08ohm
Počet Pinů
3Pinů
Prahové Napětí Vgs
2.6V
Provozní Teplota Max
200°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds
1.2kV
Druh Pouzdra Tranzistoru
HiP247
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
20V
Rozptýlený Výkon
270W
Produktová Řada
-
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.008051
Sledovatelnost produktů