Vytisknout stránku
SCTW100N65G2AG
MOSFET s Karbidem Křemíku, Jeden, N Kanál, 100 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
331 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 1 042.576 Kč |
| 5+ | 912.160 Kč |
| 10+ | 755.911 Kč |
| 50+ | 677.662 Kč |
| 100+ | 625.495 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
1 042.58 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceSTMICROELECTRONICS
Č. dílu výrobceSCTW100N65G2AG
Objednací kód3387273
Technický list
Konfigurace MOSFET ModuluJeden
Typ KanáluN Kanál
Trvalý Proud Drainu Id100A
Napětí Drain Source Vds650V
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.02ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-247
Počet Pinů3Pinů
Rds(on) Testovací Napětí Vgs18V
Prahové Napětí Vgs3.1V
Rozptýlený Výkon420W
Provozní Teplota Max200°C
Produktová Řada-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
SCTW100N65G2AG is an automotive-grade silicon carbide power MOSFET. This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
- AEC-Q101 qualified
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Extremely low gate charge and input capacitance
- Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
- 650V drain-source voltage
- 100A drain current (continuous) at TC = 25°C
- 420W total power dissipation at TC = 25°C
- HiP247 package
- Operating junction temperature range from -55 to 200°C
Technické specifikace
Konfigurace MOSFET Modulu
Jeden
Trvalý Proud Drainu Id
100A
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.02ohm
Počet Pinů
3Pinů
Prahové Napětí Vgs
3.1V
Provozní Teplota Max
200°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds
650V
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-247
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
18V
Rozptýlený Výkon
420W
Produktová Řada
-
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.0045
Sledovatelnost produktů