Vytisknout stránku
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
41 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
Množství | |
---|---|
1+ | 363.409 Kč |
5+ | 358.142 Kč |
10+ | 353.126 Kč |
50+ | 347.860 Kč |
100+ | 342.844 Kč |
250+ | 337.577 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
363.41 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceSTMICROELECTRONICS
Č. dílu výrobceSCTW60N120G2
Objednací kód3879171
Technický list
Konfigurace MOSFET ModuluJeden
Typ KanáluN Kanál
Trvalý Proud Drainu Id60A
Napětí Drain Source Vds1.2kV
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.035ohm
Druh Pouzdra TranzistoruHiP247
Počet Pinů3Pinů
Rds(on) Testovací Napětí Vgs18V
Prahové Napětí Vgs3V
Rozptýlený Výkon389W
Provozní Teplota Max200°C
Produktová Řada-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technické specifikace
Konfigurace MOSFET Modulu
Jeden
Trvalý Proud Drainu Id
60A
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.035ohm
Počet Pinů
3Pinů
Prahové Napětí Vgs
3V
Provozní Teplota Max
200°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds
1.2kV
Druh Pouzdra Tranzistoru
HiP247
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
18V
Rozptýlený Výkon
389W
Produktová Řada
-
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000007