Vytisknout stránku
STGD4H60DF
IGBT, 8 A, 1.6 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pinů
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
K dispozici pro objednání
Obvyklá doba realizace výrobce Počet týdnů: 16
Upozorněte mě při naskladnění
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 18.860 Kč |
| 10+ | 13.518 Kč |
| 100+ | 10.684 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 1
Více: 1
18.86 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceSTMICROELECTRONICS
Č. dílu výrobceSTGD4H60DF
Objednací kód4294107
Technický list
Stálý Proud Kolektoru8A
Saturační Napětí Kolektor-Emitor1.6V
Rozptýlený Výkon75W
Napětí Konektor-Emitor Max600V
Druh Pouzdra TranzistoruTO-252 (DPAK)
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max175°C
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Produktová Řada-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technické specifikace
Stálý Proud Kolektoru
8A
Rozptýlený Výkon
75W
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-252 (DPAK)
Provozní Teplota Max
175°C
Produktová Řada
-
Saturační Napětí Kolektor-Emitor
1.6V
Napětí Konektor-Emitor Max
600V
Počet Pinů
3Pinů
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Y-Ex
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.0003
Sledovatelnost produktů