Vytisknout stránku
STS4DNF60L
Duální MOSFET, N Kanál, 60 V, 4 A, 0.045 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
K dispozici pro objednání
Obvyklá doba realizace výrobce Počet týdnů: 19
Upozorněte mě při naskladnění
| Množství | |
|---|---|
| 2500+ | 19.939 Kč |
| 7500+ | 19.537 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno jako Celá Cívka)
Minimálně: 2500
Více: 2500
49 847.50 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceSTMICROELECTRONICS
Č. dílu výrobceSTS4DNF60L
Objednací kód2409151
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál60V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál-V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál4A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál-A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.045ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál-ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOIC
Počet Pinů8Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál2.5W
Výkonové Ztráty P Kanál-W
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
Přehled produktu
The STS4DNF60L is a N-channel STripFET™ Power MOSFET for switching applications. This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique "single feature size" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
- Standard outline for easy automated surface-mount assembly
- Low threshold gate drive
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
-V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
-A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
-ohm
Počet Pinů
8Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
-W
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
60V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
4A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.045ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOIC
Výkonové Ztráty N Kanál
2.5W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (2)
Související produkty
Nalezen 1 produkt
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000226
Sledovatelnost produktů