Vytisknout stránku
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceSTMICROELECTRONICS
Č. dílu výrobceSTW11NK100Z
Objednací kód1468004
Produktová ŘadaSTW
Technický list
32 964 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
Množství | |
---|---|
1+ | 100.320 Kč |
10+ | 99.066 Kč |
100+ | 77.246 Kč |
500+ | 68.468 Kč |
1000+ | 68.218 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
100.32 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceSTMICROELECTRONICS
Č. dílu výrobceSTW11NK100Z
Objednací kód1468004
Produktová ŘadaSTW
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds1kV
Trvalý Proud Drainu Id8.3A
Odpor Drain-Source při Zapnutí1.38ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-247
Montáž TranzistoruSkrz Desku
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs3.75V
Rozptýlený Výkon230W
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Produktová ŘadaSTW
Kvalifikace-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Přehled produktu
STW11NK100Z je 1000 V N-kanálový Výkonový MOSFET chráněný Zenerovou diodou, vyvinutý pomocí SuperMESH™ technologie, dosažené pomocí optimalizace dobře známého rozložení PowerMESH™ na bázi pásků. Mimo snížení odporu v zapnutém stavu na hodně nízkou hodnotu byla věnována obzvláštní péče pro zajištění velmi dobré dv/dt schopnosti pro nejnáročnější aplikace. Zlepšený náboj hradla a nižší výkonové ztráty pro vyhovění dnešním náročným požadavkům na účinnost.
- Schopnost extrémně vysokého dv/dt
- 100 % Lavinově testováno
- Minimalizovaný náboj hradla
- Velmi nízká počáteční kapacita
- Velmi dobrá opakovatelnost výroby
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
8.3A
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-247
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
230W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Napětí Drain Source Vds
1kV
Odpor Drain-Source při Zapnutí
1.38ohm
Montáž Tranzistoru
Skrz Desku
Prahové Napětí Vgs
3.75V
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
STW
MSL
-
Technické dokumenty (2)
Alternativy pro STW11NK100Z
Nalezen 1 produkt
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ne
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ne
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.010433