Vytisknout stránku
STW56N65DM2
Výkonový MOSFET, N Kanál, 650 V, 49 A, 0.049 ohm, TO-247, Skrz Desku
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
Již není skladem
Informace o produktu
VýrobceSTMICROELECTRONICS
Č. dílu výrobceSTW56N65DM2
Objednací kód2522892
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds650V
Trvalý Proud Drainu Id49A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.049ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-247
Montáž TranzistoruSkrz Desku
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs3V
Rozptýlený Výkon358W
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
49A
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-247
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
358W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
Napětí Drain Source Vds
650V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.049ohm
Montáž Tranzistoru
Skrz Desku
Prahové Napětí Vgs
3V
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
-
Technické dokumenty (2)
Související produkty
Nalezen 1 produkt
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.00916
Sledovatelnost produktů