Vytisknout stránku
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
Č. dílu výrobceOP803SL
Objednací kód1497891
Technický list
Již se nevyrábí
Informace o produktu
Č. dílu výrobceOP803SL
Objednací kód1497891
Technický list
Vlnová Délka Typ-
Pozorovací Úhel-
Spotřeba Energie250mW
Počet Pinů3Pinů
Druh Pouzdra TranzistoruTO-18
Produktová Řada-
Specifikace Automobilového Standardu-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Přehled produktu
The OP803SL is a Silicon NPN Phototransistor mounted in a hermetically sealed package that offers high power dissipation and superior hostile environment operation. The base lead is bonded to enable conventional transistor biasing. Device is 100% production tested using an infrared light source for close correlation with OPTEK's GaAs and GaAIAs emitters.
- Narrow receiving angle
- Enhanced temperature range
- Mechanically and spectrally matched to the OP130 and OP231 series of infrared emitting diodes
Technické specifikace
Vlnová Délka Typ
-
Spotřeba Energie
250mW
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-18
Specifikace Automobilového Standardu
-
Pozorovací Úhel
-
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (3)
Související produkty
Nalezen 1 produkt
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Mexico
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Mexico
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000778