Vytisknout stránku
BPW77NA
Fototranzistor, 850 nm, 10 °, 250 mW, 3 Pinů, TO-18
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
790 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 85.272 Kč |
| 10+ | 55.427 Kč |
| 25+ | 53.170 Kč |
| 50+ | 50.662 Kč |
| 100+ | 48.404 Kč |
| 500+ | 43.388 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
85.27 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceBPW77NA
Objednací kód1612659
Vlnová Délka Typ850nm
Pozorovací Úhel10°
Spotřeba Energie250mW
Počet Pinů3Pinů
Druh Pouzdra TranzistoruTO-18
Produktová Řada-
Specifikace Automobilového Standardu-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Přehled produktu
The BPW77NA is a Silicon NPN Phototransistor with high radiant sensitivity in hermetically sealed. It is sensitive to visible and near infrared radiation. It is suitable for visible and near infrared radiation.
- High photo sensitivity
- High radiant sensitivity
- Fast response times
- Base terminal connected
- ±10° Angle of half sensitivity
Technické specifikace
Vlnová Délka Typ
850nm
Spotřeba Energie
250mW
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-18
Specifikace Automobilového Standardu
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Pozorovací Úhel
10°
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
-
MSL
-
Technické dokumenty (1)
Související produkty
Nalezen 1 produkt
Legislativa a životní prostředí
Tarif č.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Bude posouzeno
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Bude posouzeno
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Sledovatelnost produktů