Vytisknout stránku
SI1922EDH-T1-GE3
Duální MOSFET, N Kanál, 20 V, 20 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.165 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
17 175 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 5+ | 14.095 Kč |
| 10+ | 9.054 Kč |
| 100+ | 6.094 Kč |
| 500+ | 4.740 Kč |
| 1000+ | 4.088 Kč |
| 5000+ | 3.160 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 5
Více: 5
70.48 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceSI1922EDH-T1-GE3
Objednací kód2056714
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál20V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál20V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál1.3A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál1.3A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.165ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.165ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOT-363
Počet Pinů6Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál1.25W
Výkonové Ztráty P Kanál1.25W
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
MSLMSL 1 - Neomezené
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Přehled produktu
The SI1922EDH-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET intended for small to medium load applications where a miniaturized package is required. It is compatible with load switch for portable applications.
- Halogen-free
- ESD protected device
Výstrahy
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
20V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
1.3A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.165ohm
Počet Pinů
6Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
1.25W
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
20V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
1.3A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.165ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOT-363
Výkonové Ztráty N Kanál
1.25W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technické dokumenty (3)
Alternativy pro SI1922EDH-T1-GE3
Nalezen 1 produkt
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000073
Sledovatelnost produktů