Vytisknout stránku
SI4214DDY-T1-GE3
Duální MOSFET, N Kanál, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.016 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceSI4214DDY-T1-GE3
Objednací kód2646382
Produktová ŘadaTrenchFET Series
Technický list
1 786 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 5+ | 20.039 Kč |
| 50+ | 14.245 Kč |
| 100+ | 9.731 Kč |
| 500+ | 9.029 Kč |
| 1000+ | 8.301 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 5
Více: 5
100.20 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceSI4214DDY-T1-GE3
Objednací kód2646382
Produktová ŘadaTrenchFET Series
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál30V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál30V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál8.5A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál8.5A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.016ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.016ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOIC
Počet Pinů8Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál3.1W
Výkonové Ztráty P Kanál3.1W
Provozní Teplota Max150°C
Produktová ŘadaTrenchFET Series
Kvalifikace-
Přehled produktu
The SI4214DDY-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for notebook system power and low current DC-to-DC converter applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
Výstrahy
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
30V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
8.5A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.016ohm
Počet Pinů
8Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
3.1W
Produktová Řada
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Neomezené
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
30V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
8.5A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.016ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOIC
Výkonové Ztráty N Kanál
3.1W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (2)
Alternativy pro SI4214DDY-T1-GE3
Nalezen 1 produkt
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000255
Sledovatelnost produktů