Vytisknout stránku
SI4532ADY.
Duální MOSFET, Komplementární N a P Kanál, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.053 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceSI4532ADY.
Objednací kód8156387
Produktová ŘadaTrenchFET Series
Technický list
Informace o produktu
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceSI4532ADY.
Objednací kód8156387
Produktová ŘadaTrenchFET Series
Technický list
Typ KanáluKomplementární N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál30V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál30V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál4.9A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál4.9A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.053ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.053ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOIC
Počet Pinů8Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál1.2W
Výkonové Ztráty P Kanál1.2W
Provozní Teplota Max150°C
Produktová ŘadaTrenchFET Series
Kvalifikace-
Alternativy pro SI4532ADY.
Nalezené produkty: 2
Technické specifikace
Typ Kanálu
Komplementární N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
30V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
4.9A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.053ohm
Počet Pinů
8Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
1.2W
Produktová Řada
TrenchFET Series
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
30V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
4.9A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.053ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOIC
Výkonové Ztráty N Kanál
1.2W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
Technické dokumenty (1)
Související produkty
Nalezené produkty: 4
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Bude posouzeno
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.00008