Vytisknout stránku
SI4559EY
Duální MOSFET, Komplementární N a P Kanál, 60 V, 60 V, 3.1 A, 3.1 A, 0.1 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceSI4559EY
Objednací kód1057876RL
Produktová ŘadaTrenchFET Series
Technický list
Informace o produktu
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceSI4559EY
Objednací kód1057876RL
Produktová ŘadaTrenchFET Series
Technický list
Typ KanáluKomplementární N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál60V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál60V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál3.1A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál3.1A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.1ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.1ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOIC
Počet Pinů8Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál2.4W
Výkonové Ztráty P Kanál2.4W
Provozní Teplota Max175°C
Produktová ŘadaTrenchFET Series
Kvalifikace-
Technické specifikace
Typ Kanálu
Komplementární N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
60V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
3.1A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.1ohm
Počet Pinů
8Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
2.4W
Produktová Řada
TrenchFET Series
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
60V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
3.1A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.1ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOIC
Výkonové Ztráty N Kanál
2.4W
Provozní Teplota Max
175°C
Kvalifikace
-
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Taiwan
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Taiwan
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Bude posouzeno
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.0005