Vytisknout stránku
SI4567DY-T1-E3
Duální MOSFET, Komplementární N a P Kanál, 40 V, 40 V, 5 A, 5 A, 0.048 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
Informace o produktu
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceSI4567DY-T1-E3
Objednací kód1684054RL
Technický list
Typ KanáluKomplementární N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál40V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál40V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál5A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál5A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.048ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.048ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOIC
Počet Pinů8Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál2.75W
Výkonové Ztráty P Kanál2.95W
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
Alternativy pro SI4567DY-T1-E3
Nalezen 1 produkt
Technické specifikace
Typ Kanálu
Komplementární N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
40V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
5A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.048ohm
Počet Pinů
8Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
2.95W
Produktová Řada
-
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
40V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
5A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.048ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOIC
Výkonové Ztráty N Kanál
2.75W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Bude posouzeno
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.0004