Vytisknout stránku
SI4850EY-T1-GE3
Výkonový MOSFET, N Kanál, 60 V, 6 A, 0.022 ohm, SOIC, Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
2 337 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 5+ | 45.896 Kč |
| 50+ | 33.607 Kč |
| 100+ | 26.585 Kč |
| 500+ | 21.443 Kč |
| 1000+ | 19.989 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 5
Více: 5
229.48 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceSI4850EY-T1-GE3
Objednací kód1858964
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds60V
Trvalý Proud Drainu Id6A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.022ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOIC
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs3V
Rozptýlený Výkon3.3W
Počet Pinů8Pinů
Provozní Teplota Max175°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
Přehled produktu
The SI4850EY-T1-GE3 is a TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with reduced total dynamic gate charge (Qg).
- Fast switching
- 175°C Maximum junction temperature
- Halogen-free
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
6A
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOIC
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
3.3W
Provozní Teplota Max
175°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napětí Drain Source Vds
60V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.022ohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
3V
Počet Pinů
8Pinů
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Technické dokumenty (2)
Alternativy pro SI4850EY-T1-GE3
Nalezené produkty: 4
Související produkty
Nalezen 1 produkt
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000142
Sledovatelnost produktů