Vytisknout stránku
SI4946BEY-T1-GE3
Duální MOSFET, N Kanál, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.033 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceSI4946BEY-T1-GE3
Objednací kód2646385
Produktová ŘadaTrenchFET Series
Technický list
1 540 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 5+ | 49.157 Kč |
| 50+ | 33.106 Kč |
| 100+ | 24.378 Kč |
| 500+ | 19.838 Kč |
| 1000+ | 17.606 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 5
Více: 5
245.78 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceSI4946BEY-T1-GE3
Objednací kód2646385
Produktová ŘadaTrenchFET Series
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál60V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál60V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál6.5A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál6.5A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.033ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.033ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOIC
Počet Pinů8Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál3.7W
Výkonové Ztráty P Kanál3.7W
Provozní Teplota Max175°C
Produktová ŘadaTrenchFET Series
Kvalifikace-
Přehled produktu
- Dvojí N-kanálový 60 V (D-S) TrenchFET® výkonový MOSFET
- 175 °C maximální teplota přechodu
- 100 % Rg testováno
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení dodacích lhůt. Dodací lhůty se mohou měnit. Na produkt se nevztahují slevy.
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
60V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
6.5A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.033ohm
Počet Pinů
8Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
3.7W
Produktová Řada
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
60V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
6.5A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.033ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOIC
Výkonové Ztráty N Kanál
3.7W
Provozní Teplota Max
175°C
Kvalifikace
-
Technické dokumenty (3)
Alternativy pro SI4946BEY-T1-GE3
Nalezené produkty: 2
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Taiwan
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Taiwan
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.0001