Vytisknout stránku
SI7220DN-T1-GE3
Duální MOSFET, N Kanál, 60 V, 60 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.048 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceSI7220DN-T1-GE3
Objednací kód3772776RL
Produktová ŘadaTrenchFET Series
Technický list
Informace o produktu
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceSI7220DN-T1-GE3
Objednací kód3772776RL
Produktová ŘadaTrenchFET Series
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál60V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál60V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál3.4A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál3.4A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.048ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.048ohm
Druh Pouzdra TranzistoruPowerPAK 1212
Počet Pinů8Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál1.3W
Výkonové Ztráty P Kanál1.3W
Provozní Teplota Max150°C
Produktová ŘadaTrenchFET Series
Kvalifikace-
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
60V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
3.4A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.048ohm
Počet Pinů
8Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
1.3W
Produktová Řada
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Neomezené
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
60V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
3.4A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.048ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
PowerPAK 1212
Výkonové Ztráty N Kanál
1.3W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (3)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000001
Sledovatelnost produktů