Vytisknout stránku
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
Již se nevyrábí
Informace o produktu
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceSI7905DN-T1-GE3
Objednací kód2335379
Technický list
Typ KanáluP Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál40V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál40V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál6A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál6A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.048ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.048ohm
Druh Pouzdra TranzistoruPowerPAK 1212
Počet Pinů8Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál2.5W
Výkonové Ztráty P Kanál2.5W
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
Přehled produktu
SI7905DN-T1-GE3 je dvojí P-kanálový MOSFET, umístěný v povrchově montovaném pouzdře. Je vhodný pro aplikace spínače zátěže.
- Bezhalogenový
- TrenchFET® power MOSFET
- Pouzdro PowerPAK® s nízkým tepelným odporem s malou velikostí a nízkým 1,07 mm profilem
- 100% Rg a UIS testováno
Technické specifikace
Typ Kanálu
P Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
40V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
6A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.048ohm
Počet Pinů
8Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
2.5W
Produktová Řada
-
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
40V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
6A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.048ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
PowerPAK 1212
Výkonové Ztráty N Kanál
2.5W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Bude posouzeno
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.001
Sledovatelnost produktů