Vytisknout stránku
967 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 49.658 Kč |
| 10+ | 49.408 Kč |
| 100+ | 49.157 Kč |
| 500+ | 48.906 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
49.66 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceSIHB21N65EF-GE3
Objednací kód3929216
Produktová ŘadaE Series
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds650V
Trvalý Proud Drainu Id21A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.18ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-263 (D2PAK)
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs4V
Rozptýlený Výkon208W
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Produktová ŘadaE Series
Kvalifikace-
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
21A
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
208W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
Napětí Drain Source Vds
650V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.18ohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
4V
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
E Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.001
Sledovatelnost produktů