Vytisknout stránku
VSMY2853G
Infračervený Vysílač, 850 nm, 28 °, SMD, 10 mW/Sr, 10 ns, 10 ns
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
23 183 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 100+ | 10.835 Kč |
| 500+ | 9.129 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 100
Více: 1
1 203.50 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceVSMY2853G
Objednací kód2504167RL
Technický list
Špičková Vlnová Délka850nm
Úhel Poloviční Intenzity28°
Druh Pouzdra DiodySMD
Intenzita Vyzařování (Ie)10mW/Sr
Doba Náběhu10ns
Doba Sestupu tf10ns
Proud v Propustném Směru If(AV)100mA
Napětí v Propustném Směru VF Max1.9V
Provozní Teplota Min-40°C
Provozní Teplota Max85°C
Specifikace Automobilového Standardu-
Produktová Řada-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Přehled produktu
VSMY2853G is a VSMY2853 series high speed infrared emitting diode. This is infrared, 850nm emitting diodes based on GaAlAs surface emitter chip technology with extreme high radiant intensities, high optical power and high speed, moulded in clear, untinted plastic packages (with lens) for surface mounting (SMD). Application includes miniature light barrier, photo interrupters, optical switch, emitter source for proximity sensors, IR touch panels, IR illumination.
- High reliability, high radiant power
- Very high radiant intensity
- Angle of half intensity is ±28° (Tamb = 25°C)
- Suitable for high pulse current operation
- Terminal configurations gullwing or reverse gullwing
- 10ns typ fall time ( IF = 100mA, 10% to 90%), 50mW/sr typ radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms)
- 10ns typ rise time ( IF = 100mA, 10% to 90%), 850nm typ peak wavelength (IF = 100mA)
- 100mA forward current (Tamb = 25°C)
- Operating temperature range from -40 to +85°C
- Dimensions (L x W x H) is 2.3 x 2.3 x 2.55mm
Technické specifikace
Špičková Vlnová Délka
850nm
Druh Pouzdra Diody
SMD
Doba Náběhu
10ns
Proud v Propustném Směru If(AV)
100mA
Provozní Teplota Min
-40°C
Specifikace Automobilového Standardu
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Úhel Poloviční Intenzity
28°
Intenzita Vyzařování (Ie)
10mW/Sr
Doba Sestupu tf
10ns
Napětí v Propustném Směru VF Max
1.9V
Provozní Teplota Max
85°C
Produktová Řada
-
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85414300
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000016
Sledovatelnost produktů