C2M0025120D
MOSFET s Karbidem Křemíku, Jeden, N Kanál, 90 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
Potřebujete další?
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 2 245.412 Kč |
| 5+ | 2 062.830 Kč |
| 10+ | 1 880.248 Kč |
| 50+ | 1 848.647 Kč |
Informace o produktu
Přehled produktu
C2M0025120D od Cree je 2. generace Z-FET, N kanálových výkonových MOSFETů z karbidu křemíku pro montáž skrz desku v TO-247 pouzdře. Tento MOSFET obsahuje C2M SiC MOSFET technologii, vysoké blokovací napětí s nízkým odporem v zapnutém stavu, vysokou spínací rychlostí s nízkou kapacitou, snadná paralelizace a snadné buzení, lavinová odolnost, odolnost proti zablokování, vyšší účinností systému, redukované požadavky na chlazení a zvýšená výkonová hustota. Aplikace zahrnují solární měniče, spínané napájecí zdroje, vysokonapěťové DC-DC měniče a nabíječky baterií.
- Napětí drain na source (Vds) 1,2 kV
- Stálý proud drainu 90 A
- Výkonové ztráty 463 W
- Provozní teplota přechodu -55 °C až 150 °C
- Nízký odpor při zapnutí 25mohm při Vgs 20 V
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení doby naskladnění, dodací lhůty se mohou měnit
Technické specifikace
Jeden
90A
0.025ohm
3Pinů
2.4V
150°C
-
N Kanál
1.2kV
TO-247
20V
463W
-
No SVHC (15-Jan-2019)
Technické dokumenty (2)
Alternativy pro C2M0025120D
Nalezen 1 produkt
Související produkty
Nalezené produkty: 2
Legislativa a životní prostředí
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
RoHS
RoHS
Osvědčení o shodě