Vytisknout stránku
122 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 2 569.697 Kč |
| 5+ | 2 477.152 Kč |
| 10+ | 2 384.356 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
2 569.70 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceWOLFSPEED
Č. dílu výrobceC2M0045170P
Objednací kód2893480
Produktová ŘadaC2M
Technický list
Konfigurace MOSFET ModuluJeden
Typ KanáluN Kanál
Trvalý Proud Drainu Id72A
Napětí Drain Source Vds1.7kV
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.045ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-247 Plus
Počet Pinů4Pinů
Rds(on) Testovací Napětí Vgs20V
Prahové Napětí Vgs2.6V
Rozptýlený Výkon520W
Provozní Teplota Max150°C
Produktová ŘadaC2M
MSL-
SVHCTo Be Advised
Přehled produktu
C2M0045170P is a C2M™ silicon carbide, N-channel enhancement mode power MOSFET. applications include solar inverters, switch mode power supplies, high voltage DC/DC converters, motor drive, pulsed power applications.
- 2nd generation SiC MOSFET technology, optimized package with separate driver source pin
- 8mm of creepage distance between drain and source, resistant to latch-up
- High blocking voltage with low on-resistance, high speed switching with low capacitances
- Reduce switching losses and minimize gate ringing
- Higher system efficiency, reduced cooling requirements
- Increased power density, increased system switching frequency
- Drain-source breakdown voltage is 1700V min (VGS = 0V, ID = 100μA, TC = 25°C)
- 3V typical gate threshold voltage (VDS = VGS, ID = 18mA, TC = 25°C)
- 40 ohm typical drain-source on-state resistance at VGS = 20V, ID = 50A, TC = 25°C
- Operating junction temperature range from -40 to 50°C
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení dodacích lhůt. Dodací lhůty se mohou měnit. Na produkt se nevztahují slevy.
Technické specifikace
Konfigurace MOSFET Modulu
Jeden
Trvalý Proud Drainu Id
72A
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.045ohm
Počet Pinů
4Pinů
Prahové Napětí Vgs
2.6V
Provozní Teplota Max
150°C
MSL
-
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds
1.7kV
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-247 Plus
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
20V
Rozptýlený Výkon
520W
Produktová Řada
C2M
SVHC
To Be Advised
Technické dokumenty (2)
Související produkty
Nalezen 1 produkt
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:To Be Advised
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.005
Sledovatelnost produktů