Vytisknout stránku
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
126 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
Množství | |
---|---|
1+ | 387.235 Kč |
10+ | 358.644 Kč |
25+ | 347.609 Kč |
50+ | 338.831 Kč |
100+ | 337.828 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
387.24 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceALLIANCE MEMORY
Č. dílu výrobceAS4C256M16MD4V-062BAN
Objednací kód4313437
Technický list
Typ DRAMMobile LPDDR4X
Hustota Paměti4GB
Konfigurace Paměti256M x 16bit
Hodinová Frekvence Max1.6GHz
Pouzdro IOTFBGA
Počet Pinů200Pinů
Napájecí Napětí Nom1.8V
Montáž IOPovrchová Montáž
Provozní Teplota Min-40°C
Provozní Teplota Max105°C
Produktová Řada-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Přehled produktu
AS4C256M16MD4V-062BAN is a LPDDR4X SDRAM. It is organized as 1 or 2 channels per device, and individual channel is 8-banks and 16-bits. This product uses a double-data-rate architecture to achieve high-speed operation. The double data rate architecture is essentially a 16n prefetch architecture with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. This product offers fully synchronous operations referenced to both rising and falling edges of the clock. The data paths are internally pipelined and 16n bits prefetched to achieve very high bandwidth.
- 256Mx16 org, 1600MHz maximum clock frequency
- LVSTL (low voltage swing terminated logic) I/O interface
- Selectable output drive strength (DS), 16-bit pre-fetch DDR data bus
- Single data rate (multiple cycles) command/address bus
- Bidirectional/differential data strobe per byte of data (DQS, DQS)
- DMI pin support for write data masking and DBI functionality
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL)
- Support non-target DRAM ODT control, on-chip temperature sensor to control self refresh rate
- On-chip temperature sensor whose status can be read from MR4
- Automotive temperature range from -40°C to 105°C, 200-ball FBGA package
Technické specifikace
Typ DRAM
Mobile LPDDR4X
Konfigurace Paměti
256M x 16bit
Pouzdro IO
TFBGA
Napájecí Napětí Nom
1.8V
Provozní Teplota Min
-40°C
Produktová Řada
-
Hustota Paměti
4GB
Hodinová Frekvence Max
1.6GHz
Počet Pinů
200Pinů
Montáž IO
Povrchová Montáž
Provozní Teplota Max
105°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Taiwan
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Taiwan
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85423290
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.002593