DS1225AB-150IND+

DS1225AB-150IND+ je 64 K nevolatilní SRAM v 28 pin EDIP pouzdře. Je to 65,536bit, plně statická, nevolatilní SRAM, organizována jako 8192 slov po 8 bitech. NV SRAM má samostatný lithiový zdroj energie a řídící obvod, který konstantně sleduje VCC pro stav mimo toleranci. Pokud nastane tento stav je automaticky přepnuta na lithiový zdroj energie a je bezpodmínečně povolena ochrana zápisu do paměti pro zabránění poškození dat. NV SRAM může být přímo použita namísto existujících 8 K x 8 SRAM, vyhovuje populárním bytewide 28 pin DIP pouzdrům. Toto zařízení má shodné rozložení pinů jako 2764 EPROM a 2864 EEPROM, což umožňuje přímou náhradu s lepším výkonem. Nemá omezení počtu cyklů zápisu, které lze spouštět, a nevyžaduje dodatečný obvod pro připojení k mikroprocesoru.

• Rozsah napájecího napětí od 4,75 V do 5,25 V
• Provozní teplotní rozsah od -40 °C do 85 °C
• Data jsou automaticky chráněna při selhání napájení
• Přímo nahrazuje 8K x 8 volatilní statickou RAM nebo EEPROM
• Bez omezení počtu cyklů zápisu
• Nízkopříkonová CMOS
• Doba přístupu pro čtení a zápis je 150 ns
• Lithiový zdroj energie je odpojen pro zachování jeho čerstvosti do doby, než je poprvé připojeno napájení

Výstrahy

Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení dodacích lhůt. Dodací lhůty se mohou měnit. Na produkt se nevztahují slevy.

Poznámky

ADI products are only authorized (and sold) for use by the customer and are not to be resold or otherwise passed on to any third party