DS1230Y-120IND+

DS1230Y-120IND+ je 256 KB nevolatilní SRAM v 28 pin EDIP pouzdře. Je to 262,144 bit, plně statická, nevolatilní SRAM, organizována jako 32768 slov po 8 bitech. NV SRAM má samostatný lithiový zdroj energie a řídící obvod, který konstantně sleduje VCC pro stav mimo toleranci. Pokud nastane tento stav je automaticky přepnuta na lithiový zdroj energie a je bezpodmínečně povolena ochrana zápisu do paměti pro zabránění poškození dat. Toto zařízení může být přímo použita namísto existujících 32 K x 8 statických RAM, vyhovuje populárním bytewide 28 pin DIP pouzdrům. DIP zařízení má shodné rozložení pinů jako 28256 EEPRO, umožňuje přímou náhradu s lepším výkonem. Toto zařízení je nízkoprofilový modul, speciálně navržený pro aplikace povrchové montáže. Nemá omezení počtu cyklů zápisu, které lze spouštět, a nevyžaduje dodatečný obvod pro připojení k mikroprocesoru.

• Rozsah napájecího napětí od 4,5 V do 5,5 V
• Provozní teplotní rozsah od -40 °C do 85 °C
• Nahrazuje 32 K x 8 volatilní statickou RAM, EEPROM nebo flash paměť
• Bez omezení počtu cyklů zápisu
• Nízkopříkonová CMOS
• Doba přístupu pro čtení a zápis je 120 ns
• Lithiový zdroj energie je odpojen pro zachování jeho čerstvosti do doby, než je poprvé připojeno napájení

Poznámky

ADI products are only authorized (and sold) for use by the customer and are not to be resold or otherwise passed on to any third party