Potřebujete další?
Množství | |
---|---|
1+ | 607.438 Kč |
10+ | 513.638 Kč |
25+ | 481.787 Kč |
100+ | 449.935 Kč |
250+ | 440.656 Kč |
Informace o produktu
Přehled produktu
HMC505LP4E je MMIC VCO s GaAs InGaP heterojunkčním bipolárním tranzistorem (HBT) a integrovanými rezonátory, negativními odporovými zařízeními, varaktorovými diodami a bufferovými zesilovači. Pokrývá 6,8 GHz až 7,4 GHz, fázový šum VCO je vynikající v teplotě, nárazu a vibracích díky monolitické struktuře oscilátoru. Výstupní výkon je typicky +11dBm s jedním napájením +3 V a 80 mA. Napětím řízený oscilátor je umístěn v bezvývodovém QFN 4x4 povrchově montovaném pouzdře. Je využit jako nízkošumový MMIC VCO s bufferovým zesilovačem pro VSAT a mikrovlnné radio, testovací vybavení a průmyslové řízení, armádní aplikace.
- Výstup napájení +11dBm (typicky)
- SSB fázový šum -106dBc/Hz při 100 KHz ofsetu, Vtune= +5 V při RF výstupu
- Externí rezonátor není potřeba
- Jedno napájení +3 V při 80 mA
- Maximální ladicí napětí (Vtune) 11 V
- Hodnota skluzu frekvence 0,8 MHz/°C
- 6MHzpp pulling (do 2.0:1 VSWR), 20 MHz/V pushing při Vtune= +5 V
- Zpětná ztráta výstupu 9 dB
- Maximální svodový proud ladicího portu 10μA
- Rozsah provozní teploty od -40 do +85 °C
Poznámky
ADI products are only authorized (and sold) for use by the customer and are not to be resold or otherwise passed on to any third party
Technické specifikace
-
3V
-40°C
-
SMD, 4mm x 4mm
-
85°C
No SVHC (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
RoHS
RoHS
Osvědčení o shodě