HMC8412LP2FETR

HMC8412 je galium arseničný (GaAs), monolitický, mikrovlnný integrovaný obvod (MMIC), pseudomorfní tranzistor s vysokou mobilitou elektronů (pHEMT), nízkošumový výkonový zesilovač. Nabízí vstupy a výstupy, které jsou interně přizpůsobeny pro 50 ohm, což činí toto zařízení ideální pro vysokokapacitní mikrovlnné radio aplikace založené na technologii povrchové montáže. Typické aplikace jsou testovací přístroje, telekomunikace, armádní radar a komunikace, elektronický boj, letectví.

• Jedno pozitivní napájení (samo-biasováno)
• Rozsah frekvence od 0,4 do 3 GHz (VDD=5 V, napájecí proud (IDQ)=60 mA, RBIAS=1.47Kohm a TA=25 °C)
• Zisk je 15,5 dB typ (VDD=5 V, napájecí proud (IDQ)=60 mA, RBIAS=1.47Kohm a TA=25 °C)
• Změna zisku v teplotě je 0,010 dB/°C typ (VDD=5 V, napájecí proud (IDQ)=60 mA, TA=25 °C)
• Přidaná účinnost výkonu (PAE) je 28 % typ (měřeno při PSAT)
• Napájecí proud IDQ je 60 mA typ (VDD=5 V, napájecí proud (IDQ)=60 mA, RBIAS=1,47Kohm a TA=25 °C)
• 6-vývodové LFCSP pouzdro
• Rozsah jmenovité teploty od -40 °C do +85 °C

Poznámky

ADI products are only authorized (and sold) for use by the customer and are not to be resold or otherwise passed on to any third party