Vytisknout stránku
DMC2038LVT-7
Duální MOSFET, Komplementární N a P Kanál, 20 V, 20 V, 3.7 A, 2.6 A, 0.035 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
18 313 Skladem
Potřebujete další?
.
.
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 100+ | 2.859 Kč |
| 500+ | 2.358 Kč |
| 1500+ | 2.310 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 100
Více: 5
405.90 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Informace o produktu
VýrobceDIODES INC.
Č. dílu výrobceDMC2038LVT-7
Objednací kód3127305RL
Technický list
Typ KanáluKomplementární N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál20V
Napětí Drain Source Vds20V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál20V
Trvalý Proud Drainu Id3.7A
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál3.7A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál2.6A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.035ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.074ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTSOT-26
Počet Pinů6Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál800mW
Výkonové Ztráty P Kanál800mW
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Přehled produktu
DMC2038LVT-7 is a complementary pair enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include motor control, power management functions, DC-DC converters, and backlighting.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- 20V drain source voltage (P channel/N channel)
- 3.7A continuous drain current (P channel/N channel)
- 0.027ohm drain source on state resistance (P channel/N channel)
- 800mW power dissipation (P channel/N channel)
- TSOT26 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení dodacích lhůt. Dodací lhůty se mohou měnit. Na produkt se nevztahují slevy.
Technické specifikace
Typ Kanálu
Komplementární N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds
20V
Trvalý Proud Drainu Id
3.7A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
2.6A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.074ohm
Počet Pinů
6Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
800mW
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
20V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
20V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
3.7A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.035ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
TSOT-26
Výkonové Ztráty N Kanál
800mW
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.004536
Sledovatelnost produktů