Vytisknout stránku
DMG6601LVT-7
Duální MOSFET, Komplementární N a P Kanál, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
1 779 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 5+ | 10.308 Kč |
| 50+ | 6.320 Kč |
| 100+ | 3.712 Kč |
| 500+ | 2.809 Kč |
| 1500+ | 2.430 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 5
Více: 5
51.54 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceDIODES INC.
Č. dílu výrobceDMG6601LVT-7
Objednací kód2543535
Technický list
Typ KanáluKomplementární N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál30V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál30V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál3.8A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál3.8A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.034ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.034ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTSOT-26
Počet Pinů6Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál850mW
Výkonové Ztráty P Kanál850mW
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Přehled produktu
Tento MOSFET byl navržen pro minimalizaci odporu v zapnutém stavu a současné zachování vysokého spínacího výkonu, což jej činí ideální pro vysoce účinné aplikace správy napájení.
- Komplementární MOSFET
- Nízký odpor při zapnutí
- Nízká vstupní kapacita
- Vysoká rychlost spínání
Technické specifikace
Typ Kanálu
Komplementární N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
30V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
3.8A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.034ohm
Počet Pinů
6Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
850mW
Produktová Řada
-
MSL
-
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
30V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
3.8A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.034ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
TSOT-26
Výkonové Ztráty N Kanál
850mW
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (1)
Související produkty
Nalezené produkty: 2
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.005
Sledovatelnost produktů