Vytisknout stránku
DMN62D0U-7
Výkonový MOSFET, N Kanál, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
K dispozici pro objednání
Obvyklá doba realizace výrobce Počet týdnů: 46
Upozorněte mě při naskladnění
| Množství | |
|---|---|
| 3000+ | 0.986 Kč |
| 9000+ | 0.913 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno jako Celá Cívka)
Minimálně: 3000
Více: 3000
2 958.00 Kč (bez DPH)
poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Informace o produktu
VýrobceDIODES INC.
Č. dílu výrobceDMN62D0U-7
Objednací kód4318595
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds60V
Trvalý Proud Drainu Id380mA
Odpor Drain-Source při Zapnutí2ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOT-23
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs4.5V
Prahové Napětí Vgs1V
Rozptýlený Výkon380mW
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
KvalifikaceAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
380mA
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOT-23
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
4.5V
Rozptýlený Výkon
380mW
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
AEC-Q101
Napětí Drain Source Vds
60V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
2ohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
1V
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000045
Sledovatelnost produktů