Vytisknout stránku
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
1 351 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
Množství | |
---|---|
1+ | 14.195 Kč |
10+ | 9.505 Kč |
100+ | 6.596 Kč |
500+ | 5.342 Kč |
1000+ | 4.941 Kč |
5000+ | 4.389 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
14.20 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceDIODES INC.
Č. dílu výrobceDMP3056LSD
Objednací kód2061421
Technický list
Typ KanáluP Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál30V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál30V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál6.9A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál6.9A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.045ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.045ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOIC
Počet Pinů8Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál2.5W
Výkonové Ztráty P Kanál2.5W
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Přehled produktu
DMP3056LSD je dvojí P-kanálový MOSFET v režimu obohacení, navržen pro minimalizaci odporu v zapnutém stavu RDS (ON), avšak zachování vynikajícího spínacího výkonu. Je ideální pro aplikace vysoce účinného podsvícení a DC-DC měniče.
- Nízký odpor při Zapnutí
- Nízké prahové napětí hradla
- Nízká vstupní kapacita
- Rychlý spínací výkon
- Nízký svod vstup/výstup
- Bezhalogenový
- UL94V-0 Třída hořlavosti
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení doby naskladnění, dodací lhůty se mohou měnit
Technické specifikace
Typ Kanálu
P Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
30V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
6.9A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.045ohm
Počet Pinů
8Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
2.5W
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
30V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
6.9A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.045ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOIC
Výkonové Ztráty N Kanál
2.5W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000074
Sledovatelnost produktů