Vytisknout stránku
HY27UF084G2M-TPCB
Flash Paměť, 4 Gbit, TSOP, 48 Pinů
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceHYNIX SEMICONDUCTOR
Č. dílu výrobceHY27UF084G2M-TPCB
Objednací kód1182455
Produktová Řada3.3V Parallel NAND Flash Memories
Technický list
Již není skladem
Informace o produktu
VýrobceHYNIX SEMICONDUCTOR
Č. dílu výrobceHY27UF084G2M-TPCB
Objednací kód1182455
Produktová Řada3.3V Parallel NAND Flash Memories
Technický list
Hustota Paměti4Gbit
Konfigurace Paměti-
Rozhraní-
Pouzdro IOTSOP
Počet Pinů48Pinů
Hodinová Frekvence Max-
Přístupová Doba-
Napájecí Napětí Min2.7V
Napájecí Napětí Max3.6V
Montáž IOPovrchová Montáž
Provozní Teplota Min0°C
Provozní Teplota Max70°C
Produktová Řada3.3V Parallel NAND Flash Memories
Alternativy pro HY27UF084G2M-TPCB
Nalezen 1 produkt
Technické specifikace
Hustota Paměti
4Gbit
Rozhraní
-
Počet Pinů
48Pinů
Přístupová Doba
-
Napájecí Napětí Max
3.6V
Provozní Teplota Min
0°C
Produktová Řada
3.3V Parallel NAND Flash Memories
Konfigurace Paměti
-
Pouzdro IO
TSOP
Hodinová Frekvence Max
-
Napájecí Napětí Min
2.7V
Montáž IO
Povrchová Montáž
Provozní Teplota Max
70°C
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:South Korea
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:South Korea
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85423261
US ECCN:3A991.b.2.b
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Bude posouzeno
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.002188