Vytisknout stránku
FZ2000R33HE4BOSA1
IGBT Modul, Jeden Spínač, 2 kA, 2.45 V, 150 °C, Module
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceFZ2000R33HE4BOSA1
Objednací kód3324632
Produktová ŘadaIHM-B Series
Alternativní označeníFZ2000R33HE4, SP003062218
Technický list
K dispozici pro objednání
Obvyklá doba realizace výrobce Počet týdnů: 52
Upozorněte mě při naskladnění
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 57 357.960 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
57 357.96 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceFZ2000R33HE4BOSA1
Objednací kód3324632
Produktová ŘadaIHM-B Series
Alternativní označeníFZ2000R33HE4, SP003062218
Technický list
IGBT KonfiguraceJeden Spínač
Trvalý Proud Kolektoru2kA
DC Kolektorový Proud2kA
Saturační Napětí Kolektor Emitor Vce(on)2.2V
Saturační Napětí Kolektor-Emitor2.45V
Výkonové Ztráty Pd-
Rozptýlený Výkon-
Teplota Přechodu Tj @ Max150°C
Provozní Teplota Max150°C
Druh Pouzdra TranzistoruModule
IGBT ZakončeníPoutko
Napětí Konektor-Emitor Max3.3kV
Napětí Kolektor Emitor V(br)ceo3.3kV
IGBT TechnologieIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Montáž TranzistoruPanel
Produktová ŘadaIHM-B Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
FZ2000R33HE4BOSA1 is a IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode. Potential applications includes motor drives, traction drives, UPS systems, medium-voltage converters, high-power converters, active frontend (energy recovery). Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068.
- AlSiC base plate for increased thermal cycling capability
- High power density, isolated base plate
- High DC stability, high short-circuit capability
- Low switching losses, unbeatable robustness
- Stray inductance module is 6nH (typ)
- Module lead resistance, terminals - chip is 0.08mohm (TC = 25 °C, per switch)
- Collector-emitter voltage is 3300V (Tvj = -40°C)
- Repetitive peak collector current is 4000A (tp limited by Tvj op)
- Gate threshold voltage is 5.80V (typ, IC = 94mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C)
- Temperature under switching conditions range from -40 to 150°C
Technické specifikace
IGBT Konfigurace
Jeden Spínač
DC Kolektorový Proud
2kA
Saturační Napětí Kolektor-Emitor
2.45V
Rozptýlený Výkon
-
Provozní Teplota Max
150°C
IGBT Zakončení
Poutko
Napětí Kolektor Emitor V(br)ceo
3.3kV
Montáž Tranzistoru
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Trvalý Proud Kolektoru
2kA
Saturační Napětí Kolektor Emitor Vce(on)
2.2V
Výkonové Ztráty Pd
-
Teplota Přechodu Tj @ Max
150°C
Druh Pouzdra Tranzistoru
Module
Napětí Konektor-Emitor Max
3.3kV
IGBT Technologie
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Produktová Řada
IHM-B Series
Technické dokumenty (1)
Související produkty
Nalezené produkty: 2
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Germany
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Germany
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:3A228.c
EU ECCN:3A228.c
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):1.151
Sledovatelnost produktů