Vytisknout stránku
IGP50N60TXKSA1
IGBT, 50 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-220, 3 Pinů
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIGP50N60TXKSA1
Objednací kód1832355
Alternativní označeníIGP50N60T, SP000683046
Technický list
515 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 97.812 Kč |
| 10+ | 61.195 Kč |
| 100+ | 47.401 Kč |
| 500+ | 41.633 Kč |
| 1000+ | 39.376 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
97.81 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIGP50N60TXKSA1
Objednací kód1832355
Alternativní označeníIGP50N60T, SP000683046
Technický list
Stálý Proud Kolektoru50A
Saturační Napětí Kolektor-Emitor2V
Rozptýlený Výkon333W
Napětí Konektor-Emitor Max600V
Druh Pouzdra TranzistoruTO-220
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max175°C
Montáž TranzistoruSkrz Desku
Produktová Řada-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
The IGP50N60T is a 600V Discrete IGBT Single Transistor without anti-parallel diode. TRENCHSTOP™ IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.
- Lowest Vce (sat) drop for lower conduction losses
- Low switching losses
- Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vce (sat)
- Very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode
- High ruggedness, temperature stable behavior
- Low EMI emissions
- Low gate charge
- Very tight parameter distribution
- Comprehensive portfolio in 600V and 1200V for flexibility of design
- High device reliability
- ±20V Gate to emitter voltage (VGE)
- 0.45K/W IGBT thermal resistance, junction to case
- 40K/W IGBT thermal resistance, junction - ambient
Technické specifikace
Stálý Proud Kolektoru
50A
Rozptýlený Výkon
333W
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-220
Provozní Teplota Max
175°C
Produktová Řada
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Saturační Napětí Kolektor-Emitor
2V
Napětí Konektor-Emitor Max
600V
Počet Pinů
3Pinů
Montáž Tranzistoru
Skrz Desku
MSL
-
Technické dokumenty (3)
Související produkty
Nalezené produkty: 3
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.00195
Sledovatelnost produktů