Vytisknout stránku
IMBG120R030M1HXTMA1
MOSFET s Karbidem Křemíku, Jeden, N Kanál, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIMBG120R030M1HXTMA1
Objednací kód3582461
Produktová ŘadaCoolSiC Series
Alternativní označeníIMBG120R030M1H, SP004463784
Technický list
1 039 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 353.628 Kč |
| 5+ | 305.976 Kč |
| 10+ | 258.073 Kč |
| 50+ | 227.726 Kč |
| 100+ | 197.380 Kč |
| 250+ | 193.367 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 1
Více: 1
353.63 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIMBG120R030M1HXTMA1
Objednací kód3582461
Produktová ŘadaCoolSiC Series
Alternativní označeníIMBG120R030M1H, SP004463784
Technický list
Konfigurace MOSFET ModuluJeden
Typ KanáluN Kanál
Trvalý Proud Drainu Id56A
Napětí Drain Source Vds1.2kV
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.041ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-263 (D2PAK)
Počet Pinů7Pinů
Rds(on) Testovací Napětí Vgs18V
Prahové Napětí Vgs5.7V
Rozptýlený Výkon300W
Provozní Teplota Max175°C
Produktová ŘadaCoolSiC Series
MSLMSL 1 - Neomezené
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
IMBG120R030M1HXTMA1 is a CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET with .XT interconnection technology. Typical application includes drives, infrastructure – charger, energy generation - solar string inverter and solar optimizer and industrial power supplies - industrial UPS.
- DC drain current is 56A, drain-source on-state resistance is 30mohm(VGS = 18V, ID = 25A, Tvj = 25°C)
- Very low switching losses
- Short circuit withstand time 3µs
- Fully controllable dV/dt
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- Package creepage and clearance distance greater than 6.1mm
- Sense pin for optimized switching performance
- Available in 7 pin TO-263 package
Výstrahy
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické specifikace
Konfigurace MOSFET Modulu
Jeden
Trvalý Proud Drainu Id
56A
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.041ohm
Počet Pinů
7Pinů
Prahové Napětí Vgs
5.7V
Provozní Teplota Max
175°C
MSL
MSL 1 - Neomezené
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds
1.2kV
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
18V
Rozptýlený Výkon
300W
Produktová Řada
CoolSiC Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (1)
Související produkty
Nalezené produkty: 4
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.001959
Sledovatelnost produktů