Vytisknout stránku
IMBG120R140M1HXTMA1
MOSFET s Karbidem Křemíku, Jeden, N Kanál, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIMBG120R140M1HXTMA1
Objednací kód3582465RL
Produktová ŘadaCoolSiC Trench Series
Alternativní označeníIMBG120R140M1H, SP004463792
Technický list
19 Skladem
1 000 Nyní si můžete rezervovat zásoby na skladě
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 100+ | 84.018 Kč |
| 500+ | 73.735 Kč |
| 1000+ | 73.484 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 100
Více: 1
8 521.80 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIMBG120R140M1HXTMA1
Objednací kód3582465RL
Produktová ŘadaCoolSiC Trench Series
Alternativní označeníIMBG120R140M1H, SP004463792
Technický list
Konfigurace MOSFET ModuluJeden
Polarita TranzistoruN Kanál
Typ KanáluN Kanál
Trvalý Proud Drainu Id18A
Napětí Drain Source Vds1.2kV
Rezistence při Zapnutí Rds(on)0.14ohm
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.189ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-263 (D2PAK)
Počet Pinů7Pinů
Rds(on) Testovací Napětí Vgs18V
Prahové Napětí Vgs5.7V
Rozptýlený Výkon107W
Výkonové Ztráty Pd107W
Provozní Teplota Max175°C
Produktová ŘadaCoolSiC Trench Series
MSLMSL 1 - Neomezené
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
IMBG120R140M1HXTMA1 is a CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET with .XT interconnection technology. Typical applications include drives, infrastructure – charger, energy generation solar string inverter and solar optimizer and industrial power supplies-industrial UPS.
- Very low switching losses
- Short circuit withstand time 3µs
- Fully controllable dV/dt
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- Package creepage and clearance distance <gt/> 6.1mm
- Sense pin for optimized switching performance
- Efficiency improvement, enabling higher frequency and increased power density
- Cooling effort reduction and reduction of system complexity and cost
Výstrahy
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické specifikace
Konfigurace MOSFET Modulu
Jeden
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds
1.2kV
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.189ohm
Počet Pinů
7Pinů
Prahové Napětí Vgs
5.7V
Výkonové Ztráty Pd
107W
Produktová Řada
CoolSiC Trench Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Polarita Tranzistoru
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
18A
Rezistence při Zapnutí Rds(on)
0.14ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
18V
Rozptýlený Výkon
107W
Provozní Teplota Max
175°C
MSL
MSL 1 - Neomezené
Technické dokumenty (1)
Související produkty
Nalezené produkty: 4
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.001588
Sledovatelnost produktů