Vytisknout stránku
IPD110N12N3GATMA1
Výkonový MOSFET, N Kanál, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
K dispozici pro objednání
Obvyklá doba realizace výrobce Počet týdnů: 18
Upozorněte mě při naskladnění
| Množství | |
|---|---|
| 2500+ | 18.559 Kč |
| 7500+ | 18.183 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno jako Celá Cívka)
Minimálně: 2500
Více: 2500
46 397.50 Kč (bez DPH)
poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIPD110N12N3GATMA1
Objednací kód4318794
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds120V
Trvalý Proud Drainu Id75A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.011ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-252 (DPAK)
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs3V
Rozptýlený Výkon136W
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max175°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
75A
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
136W
Provozní Teplota Max
175°C
Kvalifikace
-
Napětí Drain Source Vds
120V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.011ohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
3V
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (3)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.0003
Sledovatelnost produktů