Vytisknout stránku
IRF4905PBF
Výkonový MOSFET, P Kanál, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Skrz Desku
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIRF4905PBF
Objednací kód8648190
Produktová ŘadaHEXFET Series
Alternativní označeníSP001571330
Technický list
69 001 Skladem
Potřebujete další?
.
.
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 52.417 Kč |
| 10+ | 30.598 Kč |
| 100+ | 26.334 Kč |
| 500+ | 21.644 Kč |
| 1000+ | 20.440 Kč |
| 5000+ | 18.935 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
52.42 Kč (bez DPH)
poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIRF4905PBF
Objednací kód8648190
Produktová ŘadaHEXFET Series
Alternativní označeníSP001571330
Technický list
Typ KanáluP Kanál
Napětí Drain Source Vds55V
Trvalý Proud Drainu Id74A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.02ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-220AB
Montáž TranzistoruSkrz Desku
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs4V
Rozptýlený Výkon200W
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max175°C
Produktová ŘadaHEXFET Series
Kvalifikace-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
IRF4905PBF je -55 V jeden P kanálový HEXFET výkonový MOSFET v TO-220AB pouzdře. Tento MOSFET nabízí extrémně nízký odpor při zapnutí na plochu čipu, dynamické dv/dt hodnoty, odolnost, rychlé spínání a plnou lavinovou odolnost a jako výsledek jsou výkonové MOSFETy známé pro své schopnosti poskytnout extrémní účinnost a spolehlivost a možnost využití v mnoha aplikacích.
- Napětí drain na source Vds je -55 V
- Napětí gate na source je ±20V
- Rezistence při zapnutí Rds(on) 20mohm při Vgs -10 V
- Výkonové ztráty Pd 200 W při 25 °C
- Stálý proud drainu Id -74 A při Vgs 10 V a 25°C
- Rozsah teploty přechodu od -55 °C do 175 °C
Technické specifikace
Typ Kanálu
P Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
74A
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-220AB
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
200W
Provozní Teplota Max
175°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napětí Drain Source Vds
55V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.02ohm
Montáž Tranzistoru
Skrz Desku
Prahové Napětí Vgs
4V
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
HEXFET Series
MSL
-
Technické dokumenty (2)
Související produkty
Nalezen 1 produkt
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.002041