Vytisknout stránku
IRF540NPBF
Výkonový MOSFET, N Kanál, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Skrz Desku
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIRF540NPBF
Objednací kód8648298
Produktová ŘadaHEXFET Series
Alternativní označeníSP001561906
Technický list
72 818 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 20.039 Kč |
| 10+ | 13.694 Kč |
| 100+ | 12.114 Kč |
| 500+ | 11.361 Kč |
| 1000+ | 10.659 Kč |
| 5000+ | 10.157 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
20.04 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIRF540NPBF
Objednací kód8648298
Produktová ŘadaHEXFET Series
Alternativní označeníSP001561906
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds100V
Trvalý Proud Drainu Id33A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.044ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-220AB
Montáž TranzistoruSkrz Desku
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs4V
Rozptýlený Výkon130W
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max175°C
Produktová ŘadaHEXFET Series
Kvalifikace-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
IRF540NPBF je 100 V jeden N kanálový HEXFET výkonový MOSFET v 3 pin TO-220AB pouzdře. Využívá vyspělé techniky zpracování pro dosažení extrémně nízkého odporu při zapnutí na plochu křemíku. Tento benefit, kombinovaný s rychlými spínacími rychlostmi a zodolněném designu zařízení, pro který HEXFET power MOSFETy, které jsou designerům dobře známy, tvoří extrémně účinné a spolehlivé zařízení pro použití v široké řadě aplikací.
- Napětí drain na source Vds je 100 V
- Napětí gate na source je ±20V
- Rezistence při zapnutí Rds(on) 44mohm při Vgs 10 V
- Výkonové ztráty Pd 130 W při 25 °C
- Stálý proud drainu Id 33 A při Vgs 10 V a 25°C
- Provozní teplotní rozsah přechodu od -55 °C do 175 °C
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
33A
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-220AB
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
130W
Provozní Teplota Max
175°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napětí Drain Source Vds
100V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.044ohm
Montáž Tranzistoru
Skrz Desku
Prahové Napětí Vgs
4V
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
HEXFET Series
MSL
-
Technické dokumenty (3)
Alternativy pro IRF540NPBF
Nalezen 1 produkt
Související produkty
Nalezené produkty: 3
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.002712