Vytisknout stránku
IRF7341TRPBF
Duální MOSFET, N Kanál, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIRF7341TRPBF
Objednací kód2468015
Produktová ŘadaCompute Module 3+ Series
Alternativní označeníSP001554204
Technický list
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIRF7341TRPBF
Objednací kód2468015
Produktová ŘadaCompute Module 3+ Series
Alternativní označeníSP001554204
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál55V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál55V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál4.7A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál4.7A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.043ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.043ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOIC
Počet Pinů8Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál2W
Výkonové Ztráty P Kanál2W
Provozní Teplota Max150°C
Produktová ŘadaCompute Module 3+ Series
Kvalifikace-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Alternativy pro IRF7341TRPBF
Nalezen 1 produkt
Přehled produktu
IRF7341TRPBF je dvojí N-kanálový MOSFET, využívající vyspělé techniky zpracování pro dosažení nejnižšího možného odporu v zapnutém stavu na plochu křemíku. Tato výhoda, kombinovaná s vysokou spínací rychlostí a zpevněným zařízením. HEXFET Výkonový MOSFET je extrémně účinné zařízení pro použití v široké řadě aplikací. SO-8 bylo modifikováno skrz upravený rám s vývody pro vylepšené tepelné charakteristiky a schopností dvojího substrátu jej činí ideální pro mnoho výkonových aplikací. S těmito zlepšeními lze použít více zařízení v aplikacích, s dramaticky redukovaným prostorem na desce.
- Technologie Generace V
- Ultra nízký odpor v zapnutém stavu
- Zařízení pro povrchovou montáž
- Dynamické dV/dt hodnoty
- Rychlý spínací výkon
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
55V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
4.7A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.043ohm
Počet Pinů
8Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
2W
Produktová Řada
Compute Module 3+ Series
MSL
-
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
55V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
4.7A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.043ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOIC
Výkonové Ztráty N Kanál
2W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Technické dokumenty (2)
Související produkty
Nalezen 1 produkt
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000251
Sledovatelnost produktů